导 读
AI 大模型训练刺激算力需求快速增长，拉动配套基础设施（服务器、交换机、光模块）建设需求，同时AI 应用主要对应高速率光模块需求，驱动光模块往 400G/800G/1.6T 的高速率趋势迭代。拆分光模块材料成本结构，光器件成本占比约为 73%，电芯片占比约18%，PCB 和外壳分别占比 5%、4%，其中光芯片（TOSA 和 ROSA）占光模块材料成本比重超 50%。
目前主要光芯片采用磷化铟、砷化镓、铌酸锂等材料制备，光芯片基座为钨铜合金材料制备，相关材料将迎来新的成长机遇。
正 文
光芯片的性能直接决定光模块的传输速率，是光通信产业链的核心。光芯片按照材料分类可分为硅（Si）系列、磷化铟（InP）系列、砷化镓（GaAs）系列、铌酸锂（LiNbO3）系列等。
磷化铟（InP）衬底用于制作 FP、DFB、EML 边发射激光器芯片和 PIN、APD 探测器芯片，主要应用于电信、数据中心等中长距离传输；砷化镓（GaAs）衬底用于制作 VCSEL 面发射激光器芯片，主要应用于数据中心短距离传输、3D 感测等领域，铌酸锂（LiNbO3）主要用于制作调制器芯片。
光芯片为光模块成本最主要的构成部分，占比超 50%。拆分光模块成本结构，光器件成本占比约为 73%，电芯片占比约 18%，PCB 和外壳分别占比 5%、4%。对光器件成本进一步分拆可知，在光器件成本中 TOSA（光发射机）和 ROSA（光接收机）占比分别为 48%、32%，由此可推算光芯片（TOSA 和 ROSA）占光模块的成本比重约超 50%。
1 砷化镓：VCSEL 激光器芯片衬底材料
砷化镓衬底具有优良的特性，广泛应用于光电子和微电子领域。砷化镓是砷与镓的化合物，属于 III-V 族化合物半导体材料，使用砷化镓衬底制造的半导体器件，具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、抗辐射、高击穿电压等特性，因此砷化镓衬底被广泛用于生产 LED、射频器件、激光器等器件产品。
砷化镓衬底的应用可以分为三个阶段：第一阶段自 20 世纪 60 年代起，砷化镓衬底开始应用于LED 及太阳能电池，并在随后 30 年里主要应用于航天领域；第二阶段自 20 世纪90 年代起，随着移动设备的普及，砷化镓衬底开始用于生产移动设备的射频器件中；第三阶段自 2010 年起，随着 LED 以及智能手机的普及，砷化镓衬底进入了规模化应用阶段，2017 年 iPhoneX 首次引入了 VCSEL 激光器（垂直腔面发射激光器）用于面容识别，生产 VCSEL 需要使用砷化镓衬底，砷化镓衬底应用场景再次拓宽到消费电子市场。
砷化镓产业链上游为砷化镓晶体生长、衬底和外延片生产加工环节。衬底是外延层半导体材料生长的基础，在芯片中起到承载和固定的关键作用。生产砷化镓衬底的原材料包括金属镓、砷等，由于自然界不存在天然的砷化镓单晶，需要通过人工合成制备；砷化镓衬底生产设备主要涉及晶体生长炉、研磨机、抛光机、切割机、检测与测试设备等。砷化镓产业链下游应用主要涉及 5G 通信、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等多个领域。
受益于下游市场需求不断拓宽，砷化镓衬底市场规模有望持续增长。20 世纪90 年代以来，砷化镓技术得以迅速发展，并逐渐成为最成熟的半导体材料之一，但长期以来，由于下游应用领域的发展滞后，市场需求有限，砷化镓衬底市场规模相对较小。2019 年后，在 5G 通信、新一代显示（MiniLED、MicroLED）、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下，未来砷化镓衬底市场规模将逐步扩大。
根据 Yole 测算，2019 年全球折合二英寸砷化镓衬底市场销量约为2,000 万片，预计到 2025 年全球折二英寸砷化镓衬底市场销量将超过 3,500 万片；2019 年全球砷化镓衬底市场规模约为 2 亿美元，预计到 2025 年全球砷化镓衬底市场规模将达到 3.48 亿美元，2019-2025 年复合增长率 9.67%。
全球砷化镓衬底市场集中度较高。根据 Yole 统计，2019 年全球砷化镓衬底市场主要生产商包括 Freiberger、Sumitomo 和北京通美，其中 Freiberger 占比28%、Sumitomo 占比 21%、北京通美占比 13%。目前砷化镓晶体主流生长工艺包括 LEC 法、HB 法、VB 法以及 VGF 法等，其中 Sumitomo 砷化镓单晶生产以VB 法为主，Freiberger 以 VGF 和 LEC 法为主，而北京通美则以 VGF 法为主。目前国内涉及砷化镓衬底业务的公司较少，除北京通美外，广东先导先进材料股份有限公司等公司在生产 LED 的砷化镓衬底方面已具备一定规模。
砷化镓衬底下游应用包括射频器件、LED、显示、激光器等，其中射频和 LED占比较大，显示和激光器未来增速较快。据 Yole 数据显示，2019 年砷化镓衬底应用结构中射频占比最大，约 37%，其次是 LED，占比约 34%，显示（microLED等）占比 16%，激光器占比约 12%，光伏占比约 2%。预计到 2025 年射频占比将下滑到约 28%，LED 占比约 28%，显示（microLED 等）占比 26%，激光器占比约 18%，光伏占比约 1%。
激光器是使用受激辐射方式产生可见光或不可见光的一种器件，构造复杂，技术壁垒较高，是由大量光学材料和元器件组成的综合系统。利用砷化镓电子迁移率高、光电性能好的特点，使用砷化镓衬底制造的红外激光器、传感器具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、高击穿电压等特点，可用于人工智能、无人驾驶等应用领域。
根据 Yole 预测，激光器是砷化镓衬底未来五年最大的应用增长点之一。预计到 2025 年，全球激光器砷化镓衬底（折合二英寸）的市场销量将从2019 年的 106.2 万片增长至 330.3 万片，年复合增长率为 20.82%；预计到 2025年，全球激光器砷化镓衬底市场容量将达到 6100 万美元，年复合增长率为 16.82%。
未来五年激光器砷化镓衬底的需求增长主要由 VCSEL 的需求拉动。VCSEL 是一种垂直于衬底面射出激光的半导体激光器，在应用场景中，常常在衬底多方向同时排列多个激光器，从而形成并行光源，用于面容识别和全身识别，目前已在智能手机中得到了广泛应用。VCSEL 作为 3D 传感技术的基础传感器，随着 5G 通信技术和人工智能技术的发展，同时受益于物联网传感技术的广泛应用，VCSEL 的市场规模不断增长，特别是以 VCSEL 为发射源的 3D 立体照相机将会迎来高速发展期，3D 相机是一种能够记录立体信息并在图像中显示的照相机，可以记录物体纵向尺寸、纵向位置以及纵向移动轨迹等。此外，VCSEL 作为 3D 传感器，在生物识别、智慧驾驶、机器人、智能家居、智慧电视、智能安防、3D 建模、人脸识别和VR/AR 等新兴领域拥有广泛的应用前景。
根据 Yole 预测，随着 3D 传感技术在各领域的深度应用，VCSEL 市场将持续快速发展，继而加大砷化镓衬底的需求。2019年，全球 VCSEL 器件砷化镓衬底（折合二英寸）销量约为 93.89 万片，预计到2025 年将增长至 299.32 万片，年复合增长率达到 21.32%；2019 年全球 VCSEL器件砷化镓衬底市场规模约为 2100 万美元，预计到 2025 年全球砷化镓衬底市场规模将超过 5600 万美元，年复合增长率为 17.76%。
2 磷化铟：光通信领域关键材料
磷化铟衬底光电性能好，电子迁移率高，可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。
磷化铟是磷和铟的化合物，是 III-V 族半导体材料，使用磷化铟衬底制造的半导体器件，具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，因此磷化铟衬底可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。
磷化铟最早于 20 世纪 60 年代应用于航天太阳能电池中；1969 年，磷化铟首次被用于二极管中；20 世纪 80 年代，磷化铟首次被用于晶体管中；20 世纪 90 年代，磷化铟被用于电信用电吸收调制激光器中，因其具有饱和电子漂移速度高、发光损耗低的特点，在光电芯片衬底材料中拥有特殊的优势，磷化铟开始在光通信市场实现商业化应用，成为光模块半导体激光器和接收器的关键材料。此外，由于磷化铟具有高频低噪、击穿电压高等特点，随着高电压大功率器件的应用频率提升，磷化铟在 2010 年以来开始应用于雷达激光器件和射频器件。
磷化铟产业链上游为晶体生长、衬底和外延片的生产加工环节。从衬底生产的原材料和设备来看，其中原材料包括金属铟、红磷、坩埚等；生产设备涉及晶体生长炉、研磨机、抛光机、切割机、检测与测试设备等。产业链中游包括集成电路设计、制造和封测环节，产业链下游应用主要涉及光通信、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等多个领域。磷化铟产业链上游企业包括衬底厂商及外延厂商，如北京通美、日本 JX、Sumitomo 及其他国内衬底厂商，IQE、中国台湾联亚光电、中国台湾全新光电、II-VI、中国台湾英特磊等外延厂商，器件领域包括 Finisar、Lumentum、AOI、Mitsubishi 等企业，下游主机厂商包括华为、中兴、Nokia、Cisco 等企业，终端应用包括中国移动、中国电信、中国联通、腾讯、阿里巴巴、Apple、Google、Amazon、Meta 等企业。
受益于下游市场需求的增加，磷化铟衬底材料市场规模将持续扩大。根据 Yole预测，2019 年全球磷化铟衬底（折合二英寸）销量为约 50 万片，2026 年全球磷化铟衬底（折合二英寸）预计销量为 128.19 万片，2019-2026 年复合增长率为14.40%；2019 年全球磷化铟衬底市场规模为 0.89 亿美元，2026 年全球磷化铟衬底市场规模为 2.02 亿美元，2019-2026 年复合增长率为 12.42%。
从市场格局来看，磷化铟衬底材料市场头部企业集中度很高，主要供应商包括日本住友（Sumitomo）、北京通美、日本 JX 等。据 Yole 数据显示，2020 年全球前三大厂商占据磷化铟衬底市场 90%以上市场份额，其中日本住友为全球第一大厂商，占比为 42%；北京通美位居第二，占比 36%。磷化铟单晶批量生长的技术主要包括 LEC 法、VGF 法和 VB 法。北京通美和 Sumitomo 分别使用 VGF 和VB 技术可以生长出直径 6 英寸磷化铟单晶，日本 JX 使用 LEC 技术可以生长出直径 4 英寸的磷化铟单晶。
光模块为磷化铟衬底下游最大应用领域。磷化铟衬底主要应用下游器件包括光模块器件、传感器件、射频器件，对应下游终端领域包括 5G 通信、数据中心、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备等领域，从全球磷化铟衬底应用情况来看，据Yole 数据显示，2019 年光模块器件、传感器件、射频器件三者销量占比分别为80%、5%和 15%，光模块器件和射频器件目前是磷化铟下游主要的应用。
受益 5G 通信、云计算、AI 等市场拉动光模块市场快速发展，光模块器件磷化铟衬底市场快速增长。受益于全球范围内 5G 基站大规模建设的铺开，全球云计算产业快速发展和 AI 产业化的持续推进驱动全球范围内数据中心的大量建设，全球光通信行业将迎来重要发展机遇期，从而产生对光模块需求的持续增长。在市场需求的带动及中国政府新基建等政策的影响下，全球光模块市场将保持快速增长态势。根据 Yole 统计显示，2019 年全球光模块器件磷化铟衬底（折合两英寸）销量约 40 万片，到 2026 年全球光模块器件磷化铟衬底（折合两英寸）预计销量将超过 100 万片，2019 年-2026 年复合增长率达 13.94%，2019 年全球光模块器件磷化铟衬底预计市场规模约 0.71 亿美元，2026 年全球光模块器件磷化铟衬底预计市场规模将达到 1.57 亿美元，2019-2026 年复合增长率达 13.94%。
受益于可穿戴市场稳步增长，传感器件磷化铟衬底市场有望快速增长。由于磷化铟具备饱和电子漂移速度高、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，使用磷化铟衬底制造的可穿戴设备具备脉冲响应好、信噪比好等特性，因此磷化铟衬底可被用于制造可穿戴设备中的传感器，用于监测心率、血氧浓度、血压甚至血糖水平等生命体征。此外，使用磷化铟衬底制造的激光传感器可以发出不损害视力的不可见光，可应用于虚拟现实（VR）眼镜、汽车雷达等产品中。
根据 Yole 预测，2019 年应用于传感器件领域的磷化铟衬底（折合二英寸）销量约 2.5 万片，2026年应用于传感器件领域的磷化铟衬底（折合二英寸）销量将达到 20.54 万片，2019-2026 年年均复合增长率为 35.14%，2019 年应用于传感器件领域的磷化铟衬底市场规模约 500 万美元，2026 年应用于传感器件领域的磷化铟衬底市场规模将达到 3,200 万美元，2019-2026 年年均复合增长率为 30.37%。
磷化铟衬底在制造高频高功率器件、光纤通信、无线传输、射电天文学等射频器件领域存在性能优势，射频器件磷化铟衬底市场保持稳步增长。使用磷化铟衬底制造的射频器件在卫星、雷达等应用场景中表现出优异的性能，磷化铟基射频器件在雷达和通信系统的射频前端、模拟/混合信号宽带宽电路方面具有较强竞争力，适合高速数据处理、高精度宽带宽 A/D 转换等应用。
此外，磷化铟基射频器件相关器件如低噪声放大器、模块和接收机等器件还被广泛应用于卫星通信、毫米波雷达、有源和无源毫米波成像等设备中。在 100GHz 以上的带宽水平，使用磷化铟基射频器件在回程网络和点对点通信网络的无线传输方面具有明显优势，未来在6G 通信甚至 7G 通信无线传输网络中，磷化铟衬底将有望成为射频器件的主流衬底材料。根据 Yole 预测，2019-2023 年应用于射频器件的磷化铟衬底市场规模较为稳定，保持在 1500 万美元的水平，到 2023 年应用于射频器件的磷化铟衬底（折合二英寸）销量将达到 8.28 万片。
3 铌酸锂：电光调制器重要材料
铌酸锂晶体的压电性能、光电效应十分优异，是重要的无机材料。铌酸锂是一种无机物，化学式为 LiNbO3，是一种负性晶体、铁电晶体，经过极化处理的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、非线性光学、热电等多性能的材料，同时具有光折变效应。铌酸锂晶体是用途最广泛的新型无机材料之一，它是很好的压电换能材料，铁电材料，电光材料，在声学滤波器中和光通讯中都有重要应用。
铌酸锂材料产业链包括上游晶体生长、中游制造加工和下游应用。上游材料端，首先通过氧化铌制备铌酸锂单晶，然后通过提拉法生长铌酸锂晶体，也可以通过离子切片等方法制备铌酸锂单晶薄膜；中游制造加工主要是铌酸锂调制器芯片及器件制造，包括体材料铌酸锂调制器和薄膜铌酸锂调制器；下游主要应用于光通信、光纤陀螺、超快激光器、有线电视等领域。
光信号调制是光模块的必要功能，电光调制器包括内调制和独立调制两种模式。光信号调制是光模块的必要功能，通过将信号加载在光波上，实现了可靠高速的光通信，但是调制器不是光模块中的必要器件，在短距离场景下，可以采用内调整的方式替代独立的调制器。内调制或直接调制是直接控制激光器泵浦源，从而使激光的某些参量得到调制；独立调制器进行的外调制是指光输出光源的振幅和频率作为光载波经过光调制器，光信号通过调制器来实现振幅、频率和光学载波的相位调整。在中长距光通信场景中，特别是相干通信中，独立的调制器是必要器件。
目前行业内的主流电光调制器有三种，其基底分别采用硅、磷化铟和铌酸锂材料，并且根据其优缺点不同，可适用于不同通信距离的应用场景。比较来看，铌酸锂方案具有高带宽、低插损、高可靠性、较高消光比、工艺成熟等优点。基于硅基的调制器期限速率约为 60-90Gbaud，基于磷化铟的调制器可达到130Gbaud，而基于铌酸锂的调制器可能超过 130Gbaud。受材料性质所限，硅基方案存在插入损耗高、存在温漂等问题，因而主要应用在短距离；磷化铟方案主要是通过牺牲一定的参数从而在中短距离传输中替代铌酸锂。铌酸锂调制器在长途相干光传输和超高速数据中心的场景具备良好的竞争力，主要用在100Gbps 以上的长距骨干网相干通讯和单波 100/200Gbps 的超高速数据中心中。
随着光通信系统的不断升级和流量继续快速攀升，当前的高速通信系统对铌酸锂调制器产生了新的要求，包括更高调制速率以及小型化、集成化，薄膜铌酸锂调制器优势凸显。传统块状铌酸锂制作的体铌酸锂电光调制器，存在着一些技术上的局限性：其一体积大，无法满足器件微纳化的发展需求；其二性能难提升，无法适应大容量通信网络的快速发展。薄膜铌酸锂调制器相比于体铌酸锂调制器，既能解决传统铌酸锂块材料器件尺寸过大、不利于集成的问题，又能兼容成熟的硅基光子学工艺，与其它集成光子学器件实现片上集成，在光通信高速率发展背景下优势凸显。
AI 产业化趋势驱动光通信传输速率持续提升，打开铌酸锂调制器市场需求。铌酸锂调制器适合数据中心中高速传输应用场景，有望受益于 AI 产业化所拉动的巨大算力基础设施需求实现快速发展。同时薄膜铌酸锂调制器能实现更小尺寸的封装，适应于未来核心网络端口密度不断加大的需求，预计全球光模块用铌酸锂调制器市场空间持续增长。据华经产业研究院数据，2021 年全球光模块用铌酸锂调制器市场规模约 3.37 亿美元，预计到 2025 年将达 8.85 亿美元。2021-2025 年CAGR 约 27.3%。
铌酸锂调制器行业主要被日本企业占据主要份额。由于铌酸锂系列高速调制器芯片及器件行业壁垒较高，全球仅有三家主要供应商可以批量供货，分别是日本的 Fujitsu（富士通）、日本的 Sumitomo（住友集团）和 Lumentum。2020 年光库科技通过收购 Lumentum 相关产品线进入该领域，目前是国内少数可以提供铌酸锂技术的厂家之一。受益于国内薄膜铌酸锂产业链逐渐成熟，随下游新易盛等厂商相继展示或推出薄膜铌酸锂光模块，国内厂商有望在薄膜铌酸锂调制器领域占据卡位优势。
铌酸锂晶体市场规模稳步增长。随着下游 5G 通信、云计算等主要行业的持续发展，以及 AI 大模型的训练和应用带来数据中心等基础设施的增长需求，有望驱动光模块行业的用量增长和技术升级，上游铌酸锂晶体市场需求有望稳步增长。据华经产业研究院数据，2016 年全球铌酸锂晶体市场规模约 1.24 亿美元，2022 年增长至约 1.46 亿美元。光学级是铌酸锂晶体的主要类型，2022 年全球光学级铌酸锂晶体市场规模约 0.85 亿美元，约占全球铌酸锂晶体市场份额的 60%。近年来我国铌酸锂单晶市场规模同样在不断扩大，2021 年中国铌酸锂单晶市场规模约 3亿元，预计 2022 年中国铌酸锂单晶市场规模将达到 3.56 亿元。
铌酸锂单晶行业主要被日本企业占据主要份额。日本企业在滤波器以及铌酸锂调制器领域都占据主要份额，上游铌酸锂单晶材料领域同样是日本企业占据领先地位，代表企业包括日本信越化学、日本住友金属。国内铌酸锂单晶材料代表企业主要是天通股份和德清华莹。国内企业在铌酸锂单晶薄膜材料领域占据卡位优势，济南晶正在国际上率先开发出并产业化 300-900 纳米厚度铌酸锂单晶薄膜材料产品。
4 金属基复合材料：光芯片基座重要材料
金属基复合材料可以将金属基体较高的热导率和增强相材料较低的热膨胀系数结合起来，通过改变增强相种类、体积分数、排列方式或者复合材料的热处理工艺，制备出热物理性能与电子器件材料相匹配的封装材料。
在集成电路中，封装起着芯片保护、芯片支撑、芯片散热、芯片绝缘以及芯片与外电路连接的作用，电子封装材料的研究重点经历了金属、陶瓷、塑料、复合材料的变化，微电子和半导体器件对封装材料要求越来越高，加速了先进金属基复合材料的发展。金属基电子封装材料由基体和增强相两部分组成，基体一般为金属 (如铝、铜、镁)及其合金，增强相主要为碳(如碳纤维、金刚石、碳纳米管)、陶瓷(如碳化硅、氮化铝)及金属(钨、钼)等。这些基体合金具有良好的导热性能、可加工性能以及焊接性能，而增强相具有较好的热膨胀性能、良好的化学稳定性、高强度、低密度以及与基体金属较好的润湿性，从而确保金属基复合材料具有优异的热物理性能和封装性能。
钨铜合金和钼铜合金为目前应用最广泛的金属基电子封装材料，铝碳化硅（SiC/AI）和铝硅（Si/AI）合金复合材料为新兴金属基电子封装材料，金刚石/铜复合材料有望成为下一代电子封装材料。
早期采用 Kovar 合金等材料作为电子封装材料，伴随电子封装逐步往小型化、高密度、热量易散发的应用需求方向迭代，电子封装材料的性能要求也在不断提高。钨铜（W/Cu）、钼铜（Mo/Cu）复合材料也称为钨铜、钼铜合金，即以金属颗粒 W、Mo 为增强相的金属基复合材料，其热导率为 150~230W/(m·K)，热膨胀系数为 5.7×10−6~10×10−6K−1，是目前应用最广泛的金属基电子封装材料，主要应用于电子散热器件以及热沉材料。
我国W/Cu、Mo/Cu 等传统电子封装材料的制备与应用技术较成熟，已进行大规模工业化生产，但这种材料的热导率已不能满足现代大功率器件的更高要求，特别是其密度大(W/Cu：15~17g/cm3，Mo/Cu：9.9~10.0g/cm3)，不适于在便携电子和航空航天装备中应用。在航空航天飞行器领域所需的电子管理设备中，在满足电子封装材料的基本要求的前提下，轻质是其最亟待解决的问题，铝碳化硅（SiC/AI）和铝硅（Si/AI）复合材料正好具有质量轻，热膨胀系数低，热传导性能良好，强度和刚度高等优越性能，成为新一代电子封装材料。
金刚石是目前已知的在自然界中存在的最坚硬的物质,同时也是自然界中导热系数最高的物质之一,导热系数高达 1.2～2.6kW/(m·K)。铜的导热、导电、延展性都较好,热导率远高于铝、钼等金属,并且价格低廉,被广泛应用于集成电路领域。综合金刚石和铜的导热性能,金刚石/铜复合材料有望成为未来主流的高导热电子封装材料。
光芯片基座是光模块部件中重要的散热部件，光模块往高速率迭代驱动光芯片基座材料升级迭代。光模块是 5G 承载网络、数据中心互联和全光接入网络的基础构成单元，它由光器件、功能电路和光接口组成，主要功能为完成光信号的光电、电光转换，主要用于电信传输、数据中心和 5G 基站。
光模块中有三大核心部件，光芯片、激光器和光棱镜，此三大部件对光芯片基座载体材料的散热系数和热膨胀系数有着苛刻的要求。光模块目前主要以 200G 以下为主，200G 及以下对于芯片基座材料的散热要求不高，低膨胀高导热的可伐合金( Kovar）可以满足要求，400G以上光模块芯片对散热要求大幅提高，需要具有低膨胀更高导热特性的新材料来满足要求，不同成份的钨铜合金可以满足 400G、800G、1.6T 光模块需求，大于1.6T 的光模块需要更优异性能的金刚石/铜复合材料才能满足要求。用于光模块芯片基座的钨铜材料主要技术要求是超细钨粉均匀弥散分布在铜相中，并且材料要求高洁净度、高致密度，不允许有任何气孔、夹杂、钨颗粒团聚，这些缺陷都会严重影响光模块组件焊接和使用性能。
目前市场上普通的钨铜材料无法满足这些精细要求，而且良品率低。斯瑞新材采用 3D 打印骨架、真空熔渗定向凝固、微精密加工、自建专用镀金线满足了这一细分市场的特殊需求。在此基础上，斯瑞新材正在研发低成本批量生产金刚石/铜复合材料工艺，为 1.6T 以上光模块大批量应用储备能力，以支撑未来更高性能 GPU 的快速发展需求。
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