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英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

来源:赛迪网
2010年08月18日08:47

  8月18日消息,据国外媒体报道,英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。

  新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。

  两家公司称,使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。

  两家公司已经向客户发送样品,预计将于今年底投入量产。新型NAND闪存芯片将采用25纳米工艺生产。与每单元存储2位信息的NAND芯片相比,存储容量相同的新型芯片的尺寸减少约20%。美光NAND战略营销主管凯文·基尔巴克(Kevin Kilbuck)说,“我们在增加存储密度的同时,能够降低制造成本,增加存储容量。”

  但是,存储密度的提高是有代价的。基尔巴克说,“新型芯片写入信息的次数有所减少。”

(责任编辑:刘晖)
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