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三星电子宣布实现30纳米级DRAM量产

来源:搜狐IT
2010年07月21日15:20

  【搜狐IT消息】7月21日三星电子宣布本月将在世界上最早实现30纳米级2GB DDR3 DRAM量产。这是继去年7月三星在业内最先实现40纳米级 DDR3 DRAM之后的又一纪录。30纳米级产品比40纳米级产品量产性增加60%,而比50~60纳米级产品更是增加2倍以上的成本竞争力。

  据了解,该款产品应用在电脑产品时的处理速度将是现有DDR3 DRAM产品的1.6倍,DDR2 DRAM产品的3.5倍,实现2,133Mbps的data处理速度。同时采用了保证传输的安全性新设计。

  另据了解,30纳米级产品拥有出色的节电效能。应用于服务器的30纳米级的DDR3 DRAM产品在工作电压为1.35伏的状态下,可以实现1,866Mbps的处理速度。如果应用于台式电脑的4G存储时由30纳米级2GB DRAM构成的模组每小时耗电量为1.73W,这相对于50纳米级产品的4.95W几乎节电一半以上。

  特别是今年伴随着CPU进入30纳米级,目前电脑产品已经进入了“CPU(中央处理器),DRAM30纳米级”时代。CPU,DRAM共同达到30纳米级将实现比以往产品性能提高60%,耗电减少约20%的效果。这大大提高了产品的绿色环保水平。

  三星半导体事业部的存储器负责人赵秀仁社长表示,三星电子从去年开始为低耗电服务器提供“绿色存储”解决方案。并得到了主要服务器客户的高度评价。今年开始将把业内最好的“绿色存储”30纳米DRAM提供给服务器客户和家用电脑客户,并和30纳米级CPU一起将大家带入环保电脑时代。

  三星电子计划确保服务器用32GB,16GB,8GB,4GB 模组(RDIMM,Registered Dual In-line Memory Module), 专业及一般台式机用 8GB, 4GB, 2GB 模组(UDIMM, Unbuffered Dual In-line Memory Module), 笔记本用 8GB, 4GB, 2GB 模组 (SoDIMM, Small Outline Dual In-line Memory Module)等大容量存贮领域的全产品的生产。

(责任编辑:赵秀芹)
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