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三星电子推出首个30纳米DRAM内存芯片

来源:新华网
2010年02月01日21:15
  新华网首尔2月1日电(记者班威)韩国三星电子1日说,该公司已成功研制出世界上首个30纳米DRAM内存芯片,容量为2兆,并计划今年下半年批量生产。

  三星电子当天发表声明说,今年第一季度,第三代内存芯片(DDR3)将成为市场主流,而三星电子利用30纳米工艺将可以生产目前最先进的低耗电量第三代内存芯片,从而使公司在内存市场上保持最具竞争力的地位。

  三星电子说,这一新产品的生产率比40纳米DRAM内存芯片提高了60%,耗电量仅相当于50纳米级和40纳米级技术的70%和85%。

  三星电子表示,从40纳米级到30纳米级技术,三星电子只用了1年时间就研制成功,比从50纳米级到40纳米级所用28个月的时间大大缩短。
责任编辑:王亚红
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