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东芝闪迪明年量产20nm NAND闪存芯片

2009年09月22日11:54 [我来说两句] [字号: ]

来源:IT168网

  【it168移动存储频道】据报道,东芝及其合作伙伴闪迪将从明年下半年起开始量产20nm工艺NAND闪存芯片,随着制程工艺的升级,东芝和闪迪在日本四日市联合开办的晶圆厂月产量将达到20万片。

  东芝已于近期开始生产3bpc 32nm闪存芯片,该工艺的闪存芯片产量将占据其四日市工厂闪存芯片年产量的50%,不过目前的进展不太乐观,落后了先前的计划。

东芝闪迪明年量产20nm NAND闪存芯片

  竞争对手Intel和美光早已表示在年底前推出2xnm工艺,双方组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies也在按计划投产使用3bpc 34nm工艺的32Gb NAND闪存芯片。

  三星也抓紧了自己在固态硬盘市场的脚步,将他们在奥斯丁的8寸晶圆厂升级到了12寸,以生产更多的NAND闪存芯片。

  业界人士指出,2xnm工艺NAND闪存芯片的生产有助于固态硬盘市场价格体系的调整,加速其取代机械硬盘的步伐。

(责任编辑:黄顺芳)
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