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国内首个256位分子存储器电路研制成功

  中国科学技术大学国家同步辐射实验室用户成功研制出国内首个256位分子存储器电路

  新华网合肥5月19日电(记者熊润频)记者日前从中国科学技术大学获悉,中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室借助中科大国家同步辐射实验室二次X射线光刻工艺,近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。


  据介绍,分子电路是指在分子层次上构筑的电子器件及其集成电路,是后摩尔时代接替硅基电路最受关注的方向之一,它能够使电子器件的关键尺寸缩小到分子尺度,推动集成电路向更小尺寸、更高集成度方向发展。

  微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室的研究人员在深入研究后成功研制了国内首个256位分子存储器电路。该存储器电路的特征尺寸达到250nm(纳米),电学性能优异。这一进展为我国分子电路的高集成度、高速度和低功耗的实现奠定了重要基础,有力推动了我国分子电子学的发展。
(责任编辑:鲁玲)

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