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IBM联盟演示新技术 芯片能耗降50%性能提高30%

  CNET科技资讯网4月15日国际报道 IBM联盟周一演示了提高芯片性能降低电耗的技术,此技术是IBM和三星等合作伙伴共同研发的结果,可以应用于从手机芯片到高端服务器芯片的各种处理器。

  这项名为高K金属门(high-k/metal gate)技术最高能够提高32纳米工艺制程芯片30%的性能,并且最多降低50%的能耗。

IBM将45纳米芯片做对比做出这一结论。

  这种技术允许三星,东芝和Freescale Semiconductor (摩托罗拉的前部门)制造出更多低耗电的高性能芯片。新技术对于从手机等小型设备到数据中心等大型设备均有帮助。

  门是芯片数字电路中的基本模块单位,英特尔使用的高K金属门物质叫做铪,它替代了晶体管的二氧化硅梦电介质。随着晶体管的缩小,电流泄漏现象就会发生。对于芯片制造商们来说,将电流泄漏降低至最低至关重要。这也是高K金属门所发挥的作用。

  此项技术将在2009年下半年被联盟成员使用。因为技术原因,AMD没有参加这一联盟,AMD是另外一个联盟SOI(绝缘体上硅)的成员。

(责任编辑:romp)

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