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三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年投入量产

  CNET科技资讯网10月24日国际报道 本周二,三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。

  三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。

三星在一份声明中说,这种闪存芯片是提高闪存芯片存储密谋计划中的一大进步。

  三星称这款芯片是这类芯片中的第一款,也标志着闪存芯片的存储密度已经是连续8年翻番,NAND闪存芯片的生产工艺已经连续7年得到改进。

  三星表示,计划在2009年批量生产这种芯片。

  去年,三星公布了采用40纳米工艺的32G位NAND闪存芯片。三星一名女发言人说,三星计划于明年批量生产该芯片。目前,三星大多数的闪存芯片使用0.05微米工艺。

(责任编辑:romp)
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