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东芝拟09年量产30纳米闪存

  全球第二大闪存厂商日本东芝公司计划2009年底实现30纳米闪存片量产,据日本《产经》商业日报本周一报道,30纳米制程的闪存片实现量产后,其成本将比现在减少一半,因此可大大增强索尼对三星公司的挑战力量。


  东芝计划明年3月实现43纳米制程闪存芯片的量产,其生产线位于日本中部的四日市,30纳米闪存片生产线也将设在四日市。东芝方面未对此报道发表评论。

  作者:原野 编译
(责任编辑:romp)
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