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英特尔45纳米处理器不含铅 07年下半年实现投产

  【搜狐IT消息】5月28日,英特尔(中国)公共事务部总监陆郝安向广大媒体详细介绍英特尔45纳米处理器无铅化改造过程,并表示45纳米无铅处理器将在2007年下半年实现投产。

  陆郝安表示,英特尔高-K技术处理器将彻底实现无铅化,并在2007年下半年开始投产。

在2008年,英特尔65纳米芯片组产品也将实现完全无铅化。

  自2004年开始,英特尔向市场提供的处理器和芯片组封装产品已实现铅含量较以往降低95%,余下的5%铅存于处理器第一层连接的铅焊料之中。

  2007年,英特尔采用一种锡/银/铜的合金来替换掉原来的锡/铅焊料,彻底实现45纳米处理器无铅化。这种锡/银/铜合金的“秘密配方”英特尔称属商业机密,并未透露具体比例。

  广受关注的45纳米无铅处理器是否会增加相应成本,英特尔表示原材料对价格影响很小,但具体价格并未透露。

  2007年3月,英特尔宣布将在中国大连投资25亿美金建立300毫米晶圆厂,对90纳米芯片是否会实现无铅化,英特尔方面表示将“精确复制”全球标准,在全球其它区域遵从的环保经验也将复制到中国大连。之前英特尔大连建厂签约时曾明确承诺绿色环保,不会污染当地环境。

(责任编辑:romp)
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