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三星量产51纳米16GB闪存芯片 效率提高60%

  eNet硅谷动力消息据外电报道,韩国三星电子周日宣布,已开始量产51纳米制造工艺的16GB储存容量的MLC(多层单元)NAND闪存芯片,用于数字音乐播放器、音乐手机和数码相机。

  三星称,与目前的60纳米芯片相比,新的高密度闪存芯片数据处理速度大约提高了80%,60纳米芯片的数据读取速度为每秒17MB,书写速度为每秒4.4MB,而51纳米芯片的读取速度为每秒30MB,书写速度为每秒8MB。

由于加快了读取和书写的速度,芯片效率提高了60%。

  闪存的最大优点是在断电后仍然能够保存数据,它广泛使用在消费电子产品中,在全球竞争激烈的闪存市场,去年闪存芯片价格下降幅度超过了50%,三星开发的新产品将保持公司具有更高的竞争力。

  三星计划融合一系列的闪存软件和固件到存储芯片,以适应音乐手机和MP3播放器的需求。为此它已经已经推出了整套产品,这是继去年八月份三星宣布生产60纳米技术、8GB储存容量闪存芯片后公司产品的又一升级。

(责任编辑:水涨船高)
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