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英特尔合资公司开发出MLC闪存样品

  天极ChinaByte 4月27日消息(他山石 编译)据国外媒体报道,本周四美光科技宣布,它与英特尔的合资企业IM Flash科技公司已经开发出处于行业领先水平的50纳米MLC(多层单元)NAND闪存芯片样品。

  美光称,与SLC(单层单元)闪存组件相比,新的MLC 闪存组件体积更小,能量效益更高,能够更理想的使用在目前的计算和消费电子产品中。MLC 闪存组件的密度为16GB,而SLC闪存组件的密度仅4GB。

  英特尔NAND闪存部门副总裁兼总经理Randy Wilhelm表示,我们与美光的合资公司提前开发出了行业中领先水平的米MLC芯片架构超过了我们先前的时间预期,去年七月份,我们首先在行业中开发出了50纳米SLC 闪存样品,开发出行业中最先进的50纳米MLC架构进一步证明了我们的开发和制造实力。

(责任编辑:龚伦常)
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