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三星全球首产60纳米1Gb DDR2 DDR2 D内存

  赛迪网讯 3月6日消息,三星电子将在全球范围内率先投产60纳米1Gb DDR2 D内存。

  据韩联社报道,三星电子去年3月份开始量产80纳米512Mb DDR2D内存,曾成功开启全球DDR2D内存生产的80纳米时代。

然而时隔不到1年,三星电子又在全球范围内率先量产足足领先80纳米产品两代的60纳米1GbDDR2D内存。

  使用60纳米工艺生产DDR2D内存,其生产效率比使用80纳米工艺高40%以上,比目前国际DDR2D内存产业界普遍采用的90纳米工艺高两倍以上,可大幅提高成本竞争力。

  三星电子1日表示,全球首产60纳米DDR2D内存这本身具有一定意义,同时此举也为其确立了今后开发并量产50纳米和40纳米产品的领先业界的技术基础。(n104)

(责任编辑:Ann)
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