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三星电子大规模生产60纳米1G容量Nano DRAM

  赛迪网讯 3月5日消息,上周,韩国三星电子公开表示,已经开始大规模生产1G容量的60纳米技术Nano DRAM内存芯片。

  据english.chosun.com报道,据公司透露,该产品在性能方面,要比上一代的80纳米产品高出40%之多。

至今为止,市面上绝大多数NanoDRAM内存还在使用80纳米技术,该技术在去年三月份由三星发起,因此韩国电子巨头此次可谓打破了自己制定的标准。

  三星电子公司宣布,计划将60纳米技术产品生产比例,从今年的6%,提高到明年的46%,从而顺利过渡向60纳米时代。(n104)

(责任编辑:黄志光)
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