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SanDisk携手东芝 推出高性能高容量NAND闪存

  作者:Ted

  NAND闪存厂商SanDisk公司在1月23日宣布,将在这个月出货采用56纳米工艺的多级单元闪存技术(Multi-Level Cell)的闪存芯片,这一芯片是与日本的东芝公司合作,在东芝公司位于名古屋附近的四日市的300毫米晶圆厂生产的。

  SanDisk公司的发言人表示,在2007年春季,公司计划出货密度最高的采用多级单元闪存技术的单芯片的NAND闪存产品。

  在进行了有限的工程样板生产之后,SanDisk计划在接下来的几个星期内,推出使用56纳米生产工艺的新的1GB容量的采用多级单元闪存技术的单芯片NAND闪存产品。这一产品的商业出货时间将在这一季度之内。

  在2007年第二季度,公司计划推出单块集成的2GB容量的NAND产品,这将是市场上密度最高的使用多级单元闪存技术的单芯片NAND闪存产品。

  SanDisk公司的技术和全球运营部执行副总裁Randhir Thakur表示,借着推出采用56纳米生产公司和2GB容量的NAND产品,公司正逐步的推出第五代的使用多级单元闪存技术的NAND闪存产品。公司的采用56纳米工艺的容量达16GB的产品告诉市场和消费者,对比之前的70纳米工艺8GB容量的产品,这些新产品的每片芯片的密度提高了一倍。这让我们能够生产容量更高的NAND闪存产品,特别是生产更具成本效益的多级单元闪存技术的NAND闪存产品。

  而凭借在56纳米生产工艺中的领先,SanDisk公司的产品比采用70纳米工艺的产品在写入表现上的性能是后者的将近两倍。

  SanDisk和东芝都是四日市的晶圆厂进行供货的,而且两家公司一起合作进行了多级单元闪存技术的多方面研发。

  在今年年底之前,两家公司的合资企业Flash Alliance公司所拥有的正在兴建的第四座300毫米的晶圆厂将落成并开始以56纳米的工艺进行生产。

  

(责任编辑:buyi)

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