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三星东芝热烈争夺NAND闪存技术领先地位

  谁是NAND闪存行业的技术领先者呢?对此,日前有业界分析师警告说,这个问题可能没有答案,原因是在2007年的大部分时间中,厂商们将面对市场供过于求的困境。与此同时,三星电子和东芝两家公司都借全球首枚60纳米以下NAND闪存配件的样品展示或者量产来证明自己在此领域的领导地位。

  全球最大NAND闪存供应商三星已经开始了采用50纳米技术,用于固态硬盘的16Gbit芯片样品的试产,三星称这种产品预计将在2007年第一季度的某个时候开始量产。而全球第二大供应商、日本的东芝公司则悄然完成了56纳米NAND闪存设备的试产,预定投产时间是今年一月份。东芝原来的计划是推出52纳米的NAND产品,不过最终修改计划、转而设计出56纳米产品,原因据其表示是这种技术过于复杂。至于业界其他厂商,包括现代、意法半导体和英特尔/镁光联盟等,也在拼命追赶三星和东芝。

  市场研究公司iSuppli的分析师Nam Hyung Kim认为东芝要稍稍领先于三星。“技术宣布不等于已经生产出样品,”Kim说。“东芝在60纳米以下竞赛中要稍稍领先于三星。”

  Kim表示,这种技术领先地位可能难有定论,原因是预计NAND市场至少在2007年第三季度之前仍将保持供过于求的状态。“市场在2007年将出现挑战,”他说。“我们预计供过于求会持续至Q3。到第四季,我们预期会出现短缺。”

  根据iSuppli的预测,2007年NAND市场总值将达到141.88亿美元,比2006年上升17%,而以Bit为单位计算的产量增幅更会达149%,不过平均售价预计今年会下降53%。

  在2006年里,NAND闪存价格的平均跌幅达到61%。由于这种供过于求的情况持续了一整年,导致部分厂商选择退出了这个行业,其中包括雷尼萨斯(Renesas Technology)和奇梦达(Qimonda AG)。而在最近一段时间,该市场更陷入困境。“业内每个人都对NAND的价格下跌不高兴,”镁光科技的NAND产品开发副总裁Frankie Roohparvar说。“我们把这看作路上的一次颠簸。”Roohparvar表示,长远来看,NAND价格的下跌会拉低产品平均售价并开发出多种新应用领域,例如固态硬盘、PC缓存、手机等等。传统上,NAND闪存主要应用于MP3播放器、U盘和存储卡上。

  固态硬盘是NAND闪存一个潜力巨大的新市场。“我们不是说NAND会取代硬盘,”他说。“最大的问题始终是单位容量的成本。但我们在不断缩小这个差距。”

  东芝和三星都称自己是首家突破60纳米技术界限的厂商。三星并没有说明其16Gbit(2GB)存储芯片是单片产品还是多芯片整合在单一封装中,但明确表示它是首个采用50纳米生产工艺的NAND闪存,将用于生产能连接PC或者手机的外置存储卡。此外,该芯片的推出预计还将加快基于闪存的固态磁盘等非易失性存储产品的普及进程,例如在微软的Vista操作系统中的使用。

  镁光和现代等二线厂商同样没有放弃追赶这两家市场领先者。Roohparvar透露,镁光已经发布了70纳米产品,但他们将跳过65纳米技术,将精力集中于50纳米产品。镁光目前正在试产50纳米SLC型(Single level cell)设备,50纳米MLC型(Multi level cell)产品会在2007年中问世。镁光和英特尔合资成立了一家闪存生产厂,名字是IM Flash。由于起步太迟,这家公司正奋起直追。“我们矢志成为业界市场领导者,”他说。“部分厂商用了六年时间才完成了我们仅花了一年半就完成的工作。”

  另一方面,为了不被赶超,现代公司预计将在2007年上半年测试60纳米NAND设备,50纳米配件会在2007年下半年推出。去年,现代和意法半导体在中国无锡的合资工厂开始运作,预计能推高其110nm和90nm内存以及80纳米NAND产品的产能。该工厂的设计生产技术极限至少可以达到55纳米。

(责任编辑:buyi)


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