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三星试生产50纳米16GB闪存 今年一季量产化

  eNet硅谷动力消息1月4日消息,据国外媒体报道,三星公司宣布,公司目前正在生产采用50纳米技术的16GBNAND闪存的样品。

  首批生产的样品将采用4KB页的多层单元设计(MLC)。三星公司称,4KB页功能的数据读取速度是常规2KB页系统MLCNAND闪存的两倍,同时还将写入速度提高了150%。

  三星计划在今年第一季度开始大规模量产16GB NAND闪存。

  2006年9月三星曾宣布,公司已开发出了基于40微米技术制造的32GBNAND闪存设备。该内存整合了ChargeTrap闪存架构(CTF),这种新工艺在改善产品性能的同时还有效地提高了产能。

  三星公司表示,高密度闪存的生产将加速非挥发性内存应用的普及,比如采用闪存制造的固体盘。三星在去年三月开始向市场提供32GBNAND闪存型固体盘(SSD),三星预测说,到2010年,闪存型驱动器的市场销售额将增至45亿美元。

  研究公司In-Stat的预测表明,到2013年,笔记本电脑储存设备的SSD市场份额将达到50%。

(责任编辑:水涨船高)


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