意法半导体公司和海力士半导体为在中国江苏省无锡市合资建立的存储器芯片前端制造厂举行开业典礼。

　　这个技术先进的新工厂将负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片，合资双方将获得规模经济带来的巨大的经济效益，将能提前进入飞速增长的中国市场，在制造工艺和产品开发上实现优势互补。无锡晶圆制造厂将加快意法半导体在NAND闪存市场的前进步伐，同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的高性能的具有成本竞争力的DRAM芯片。新工厂将有助于扩大海力士的12英寸生产线的产能，加强其在全球增长速度最快的中国半导体市场上的领先地位。海力士DRAM目前在中国的销售量居第一位，据最新的iSupply资料显示，市场份额约为47%。无锡工厂竣工后，海力士又增加了一个全球制造基地，该公司在美国俄勒冈尤金市还有一家全球制造基地。

　　两家公司于2005年4月为新工厂举行了奠基仪式，工厂占地面积550,000平方米，无尘洁净室达到20,000平方米，8英寸和12英寸生产线分别于2006年7月和10月开始量产。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工艺，90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产， 80nm晶圆在12英寸生产线上生产。明年年中，两条生产线除生产现有的DRAM外，还将开始生产工艺先进的NAND闪存。在产能方面，8英寸生产线预计月产晶圆 50,000片，12英寸生产线的月产量将达到18,000片晶圆。双方将根据市场情况分配产品和存储器密度。

　　这个合资厂的总投资额为20亿美元，意法半导体与海力士半导体的股份比例1/3：2/3，中国本地金融机构和意法半导体还为合资公司提供了联贷计划。

　　在韩国与欧洲公司的同类合资公司中，这个大型合资企业可能是最大的。

　　“新的无锡工厂将是中国最大的晶圆生产厂，它进一步加强了ST在全球增长最快的半导体市场中的强有力的市场地位，”意法半导体公司副总裁及大中国区总经理柯明远先生评价道，“这个项目非常适合我们所做出的对中国市场的承诺，即开发适合中国本地需求的技术、产品，并帮助提高本地人员的技术能力，改善本地基础设施的技术水准，从而开发出成本低、品质高的存储器产品，以满足迅速膨胀的无线通信和消费电子的市场需求。”

　　 “手机、数码相机以及随身听等便携设备对存储容量的需求越来越高，在这种发展趋势的拉动下，2005年NAND闪存市场的增长速度达到半导体市场有史以来的最高水平，”意法半导体公司副总裁兼存储器产品部总经理Mario Licciardello表示，“12英寸晶圆生产线从60 nm SLC（单级单元） 和MLC（多级单元）NAND技术快速向55nm以下节点过渡 ，将有助于我们满足市场增长，满足手机及数字消费市场用户对高性能和成本低廉的存储器解决方案的需求。”

　　中国是世界增长最快的半导体市场，目前中国市场占全球市场约15％。据市场调研机构的预测，中国在2008年前将会成为世界最大的半导体市场，市场份额占全球半导体市场的四分之一以上。（高伟）

(责任编辑：黄志光)