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DDR与DDR2孰生?孰死?
时间:2006年03月22日10:47 我来说两句(0)  

 
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  回顾历史我们不难看出,Intel平台的每一次重大升级换代,都对整个IT硬件行业产生剧烈的震动。Intel在2003年秋季论坛上公布了其未来DDR2内存的发展计划。在论坛上Intel发言人对DDR2内存的发展情况以及未来的市场前景做了阐述。
而随着CPU前端总线带宽的提高和高速局部总线的出现,内存带宽成为系统越来越大的瓶颈。目前处于主流DDR技术已经发展到极至,受其架构的限制,DDR的速度已经很难再有所提升,因此各种新的内存解决方案应运而生。其中作为DDR的正式接班人的DDR2,从一开始推出后就在计算机行业受倍大家的关注。

  面对着市场的瞬息万变,内存新贵生产商KINGXCON(金士刚)有着独到的见解,面对这一变革,当然早已胸有成竹。谈到金士刚,我们先来了解一下其背景—KINGXCON(金士刚)创立于2000年初,公司致力于计算机存储产品的专业制造及供应。其生产实力强大,原材料的选购上严格把关,坚持不仅采用顶尖的内存颗粒,产品的制造流程更是严格依据ISO9001国际标准化规范。制作工艺精益求精,每件产品更是经过100%严格测试,使产品具备高超频,高兼容,高稳定特性。

  因而面对这次内存种类的更新换代,新兴的内存力量KINGXCON(金士刚),特别是对于这样专业的内存制造商,产品上不断追求探索,在强有力的研发制造的支持下,精益求精,从而不断的推出新产品。我们先来看一看金士刚DDR2内存的新技术:

DDR与DDR2孰生?孰死? 

  金士刚DDR2-667 1GB

  DDR2和DDR基本传输方式一样,在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输。在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。这就是DDR2和DDR内存技术标准最大的不同。

  这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

  DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。

  DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

  DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。

  DDR2采用的新技术:

  除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。

  OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

  ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

  Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

  总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。  

(责任编辑:刘鹏)



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