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Hynix公司在全球首次开发出1GB DDR2 DRAM内存
2003-08-12 09:49  作者: 唐千 编译  转自: ENET硅谷动力
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  【eNews消息】据韩国媒体8月11日报道,Hynix半导体公司日前宣布,它已经在全球首次开发出基于0.11微米制造工艺的1GB的DDR2 DRAM内存片。

  该新开发的内存片的数据处理速度是先前DDR内存片的两倍,预计将被用于高端服务器电脑、PC和工作站的主存储器。目前,市场上只有512MB DDR2 DRAM内存片,而1GB DDR2 DRAM尚属首次开发出来。

  该芯片制造商将于明年初开始量产1GB DDR2 DRAM,届时英特尔支持该内存片的芯片集也将面世。

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