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【eNews消息】IBM日前表示，该公司研究人员在晶体管制造工艺方面又获得两项技术新突破，应用新技术能够生产出速度更快，更高效的计算机芯片。这两项技术分别是绝缘应变硅SSDOI(strained-silicon directly on insulator)和混合定向技术 (hybrid-orientation technology，HOT)。 IBM设计人员最初是在晶片上植入一层硅和锗原子，从而实现晶体管制造技术的突破。现在，IBM又将应变硅和硅绝缘体集成在同一晶片上，应变硅能在很大程度上提高电子的迁移率（或者称作电子穿过硅晶的速度），而硅绝缘体也将有效减少芯片中电子流失——这也正是目前困扰芯片制造业的难题。据称这一技术能将晶体管性能提高20％到30％，而IBM本身也将会在今年晚些时候推出的产品中开始使用这一技术。 IBM完成的另一技术突破是混合定向技术，或者称为HOT技术。与传统技术相比，HOT技术可在一片CMOS晶圆上结合两层衬底，它能将空穴迁移率提高到2.5倍以上。换言之，HOT技术能使芯片的运算速度比以前提高40-65％。据悉目前IBM已经开发出基于绝缘应变硅和混合定向技术的第一只晶体管。 据了解，IBM这两项应用前景十分广泛的革新技术运用起来却是相当容易，同时也无需使原有的芯片制流程增加过多的成本。这就意味着我们能够使用成本更低、速度更快、也更加节能的处理器芯片，换言之，未来的笔记本电脑势必将会更加轻便。另外，制造技术的不断提高也可以在芯片上安装更多的微缩晶体管，植入更多的电路，实现更丰富的功能。
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