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飞思卡尔推出TD大功率RF系列产品

来源:中国电子报
2010年06月01日16:53

  本报讯 飞思卡尔半导体日前推出两款专门为TD-SCDMA网络设计的 LDMOS射频功率管。其中MRF8P20160HSR3晶体管和MRF8P20100HSR3器件均采用飞思卡尔最新的高压第八代(HV8)LDMOS技术。两个器件能够在专为TD分配的两个频带(1880MHz~1920MHz及2010MHz~2025MHz)上工作,这让一个单独的器件能够为两个频带提供服务。

  TD基站中的放大器均采用Doherty架构,该架构包含两个放大器,这通常要求在载波及功率放大器的末级功峰值路径上配置单独的RF功率晶体管。但飞思卡尔LDMOS晶体管采用双路径设计,其中Doherty末级放大器所要求的两个放大器被集成在一个单独的封装内。这将把所需器件数量减少一半。 (赵艳秋)

(责任编辑:刘瑞刚)
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