杨叙：使用新材料的45nm芯片更加环保

　　2007年11月16下午两点半，在一段简短而精彩的视频过后，在在场数家软硬件厂商的见证下、在全场数百家媒体的注视下，英特尔45nm技术及新产品新闻发布会在北京798工厂盛大开幕。英特尔公司销售与市场营销事业部副总裁兼中国大区总经理杨叙先生、英特尔公司高级副总裁兼数字企业事业部(DEG)联合总经理帕特•基辛格先生以及英特尔各软硬件合作伙伴等人参加了此次发布会并做了演讲。

　　英特尔公司销售与市场营销事业部副总裁兼中国大区总经理杨叙先生

　　在开幕词中，杨叙先生提到：“去年英特尔发布的酷睿II是两亿九千万三极管，今天的45纳米双核的是四亿一千万个三极管，短短一年的时间，四核是八亿两千万个三极管，这么多的三极管集成进去很多问题和瓶颈要解决，Intel找到了一种新的金属材料——High-K，因为在今天45纳米的芯片里面，三极管和三极管之间的管角的距离只有4个原子的宽，要做到绝缘问题，没有在材料上的突破、科学技术的突破是无法做到的。”

　　英特尔公司销售与市场营销事业部副总裁兼中国大区总经理杨叙先生

　　在对新制程工艺中使用的材料进行解释时，杨叙还提到了这个产品的另一个特点：“这个产品的诞生也是英特尔第一次使用了无铅的材料，接着也会去掉卤化物，更环保，相信对于未来产业的推动会有非常大的推动。”联想到今年春季IDF上英特尔工程师关于环保材料的演讲，可见英特尔一直在努力推进着IT的环保工作。