英特尔首个32纳米SRAM芯片问世 09年生产产品

　　【搜狐IT美国旧金山报道】（文/黄顺芳）9月18日，英特尔秋季信息技术峰会（Intel Developer Forum，简称IDF）在美国旧金山的莫斯克尼会议中心（Moscone Center West）正式拉开帷幕，搜狐IT受邀对本次会议进行现场报道。

会上，英特尔总裁兼首席执行官保罗?欧德宁介绍了英特尔最新的产品、芯片设计和制造工艺技术，英特尔第一个32纳米静态随机存取器（SRAM）也在此次峰会上首次亮相。

　　随着首个45纳米高-k金属栅极处理器即将面市，欧德宁表示英特尔已经进入下一代大规模制造的重要里程碑。他披露了英特尔的第一个32纳米静态随机存取器芯片，该芯片上将集成超过19亿个晶体管。

　　据介绍，32纳米SRAM芯片采用第二代高-k金属栅极晶体管，其存储单元的面积只有0.182平方微米。

　　欧德宁表示，SRAM作为测试工具，在引入使用32纳米制造工艺的处理器和其他逻辑芯片之前，用于演示技术性能、处理收益以及芯片可靠性。

　　英特尔预期将在2009年开始制造32纳米产品。