本季度开始，全球三大内存颗粒生产商将大幅度提高0.11微米制程生产工艺的产能，随着8月的到来，目前三大内存厂商——三星（Samsung）、美光（Micron）、英飞凌（Infineon）等国际大厂，标准型DRAM采0.11微米以下制程比重均达到7成以上。

　　　内存产业的领头羊，韩国三星电子公司的制程技术已经遥遥领先竞争对手半年以上，在2004年初三星电子就开始将制程转换至0.11微米，目前三星所有产能当中，有48％的产出来自于0.11微米制程，49％来自于0.10微米制程，即目前三星电子的内存颗粒几乎全部产自于0.11微米以下制程。此外，三星也开始对90纳米制程进行试验性量产。

　　　 另外两家内存大厂——美光和英飞凌目前在0.11微米制程的良品率均已大幅提升，产量也大幅度上升。其中美光在标准型DRAM内存生产上，约有70％的产能是0.11微米制程，而英飞凌也有约70％产能是采0.11微米制程，英飞凌预计到年底时0.11微米制程产出比重将提升至80％。