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高频DDR性能诱人 OCZ公布最新DDR550内存
IT.SOHU.COM  2004-04-13 11:05  转自: PCPOP
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  一般来讲,高速内存只能在保守的时序设置下才能够正常工作,这是受DRAM技术天性所决定的。显然,过高的潜伏期严重影响了内存子系统的工作效能。但这样的局面有望被打破,OCZ近日公布了世界首款CL2.5设置的550MHzDDR内存。

  OCZ这款PC440 Limited Edition Gold ELDDR内存频率550MHz,时序设置为CL2.54-4-8,这比一般的533MHz的设置还要高,但OCZ方面并没有详细透露该内存所采用的芯片颗粒。

  该内存工作电压为2.85v,而目前市场上能够提供该电压的主板并不是很多,OCZ官方推荐使用P4C800和P4C800-E主板,能够完全发挥双通道PC4400LimitedEdition Gold EL DDR内存的性能。

  当前高频率的DDR内存已经给DDR2内存带来很大压力,Hynix日前也表示将开始大规模生产550MHzDDR颗粒,此举可能会导致这类内存产品价格上的下调。由于DDR2具有潜伏期长的缺点,所以其性能相比同频率DDR内存并无太大提高,而高频率的DDR内存则具备更高的性能,成为用户更好的选择。

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