JFET LBCAST 传感器
Nikon的新的DX格式JFET（Junction Field Effect Transistor结型场效应晶体管）LBCAST（Lateral Buried Charge Accumulator and Sensing Transistor array侧列电荷累积和感应晶体管阵列）410万传感器，尺寸为23.1mm x 15.5mm，看起来和CMOS技术相似但是能以更高的速度传输数据，使相机能达到另人印象深刻的每秒八张的拍摄速率。Nikon声称它有如下特点：
- 即时启动
- 更高的速度
- 更高的清晰度
- 更低的耗电量
- 低噪音（最小限度的黑燥点）
LBCAST传感器是由Nikon独自设计和开发的新产品，在这个传感器研发上，Nikon倾注了10年的心血。LBCAST在结构上，与通常的CMOS传感器一样采用XY地址方式相同。这种方式与采用电荷依次传递的所谓“电荷依次电送方式”的CCD不同。乃指定各像素的地址实现每个数据的传输和读取信号，为此具有可以随意地提取高密度像素数据的优点。佳能的数码相机EOS-D系列等大都采用这样的CMOS传感器。
通常CMOS中的用于提取像素数据的晶体管中采用的是MOSFET，而LBCAST中的检测晶体管则是JFET(Junction Field-Effect Transistor：结合型电场效果晶体管)，每个像素中都包含一对电荷积累部分(即感光元件)与检测放大用的JFET晶体管，其每个像素即可实现将电子转换为电荷的功效，并且实现放大作用。 同时由于电荷积累部分采取横向嵌入方式，JFET成为夹在Gate(开关)当中的通道构造，成为理想的增幅放大元件，和CMOS相比具有更高灵敏度和低噪音效果。
Nikon声称，与CMOS相比，LBCAST暗电流特别少，可以有效抑制暗部噪声。另一方面，像素信号乃双通道同时提取，可以实现高速处理。在结构方面，摄像像素的布线构造比CMOS减少一层金属层，同时布线密度也比较低，层间连接孔(Contact Hole)也比较少。由此实现了结构简单、制造故障少、成品率高等等目标。此外由于搭载了LBCAST技术，可以更加省电，可以实现比D100多拍摄1.5倍的拍摄能力。该技术可以用于便携式数码相机，但是目前并没有这样的计划。由于它结构简单，可以采用与CMOS相同的制造工艺，可以预计将来制造成本可以大幅度降低。
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